（来源：上观新闻）
IT之家 4🎒 月 24 日消🥭息，3D 存🚎储半导体 IP♟️🧰 企业 NE💓O Se🤰miconduc🖖🇱🇹tor 🐂美国加州🔺🇮🇳当地时间🚳❄ 23 日🤦♀️🚕宣布其 😤👨👨👧X-DR🕗AM 成功完成🚴概念验证芯片制🇩🇬👘造，证明这🇺🇿一 3D🧣 堆叠🌁↔内存可利用现有🥭 3D ☺NAN❇🚾D 闪存📩🇪🇬生产线制造🇩🇪。
谷歌的突破口，⛄则来自成本👁🧘♂️。第一次编译就👨🦲通过了❕137/233个🌉测试，🤐59% 👩👩👧👧的冷启动通过🇸🇦率说明架构在🇬🇷运行任🇵🇷何测试之前🏏就已经设计正🎵🦒确🚌📸。这是一🚠🌨件很反常🆑🚦识的事，像AI🔄 的其🏋️♀️他核心🎉📳环节，🏊GPU、H🐉📞BM 🚻🇯🇵内存、👈EDA 软件、🗂光刻机，中🆗国要么被卡脖子🇪🇦，要么在追赶🕍🔭，唯独光模块这一🥃环，中🔛国是绝对☑🐧龙头😃。
